Амперная характеристика диода
Амперная характеристика диода представляет собой график зависимости тока через диод от приложенного к нему напряжения. Она условно разделяется на два участка:
1. Прямой участок
* При прямом смещении (положительное напряжение на аноде и отрицательное на катоде) через диод начинает течь ток.
* Ток экспоненциально возрастает с увеличением прямого напряжения.
* При достижении напряжения пробоя (VB) происходит резкое увеличение тока, что может привести к повреждению диода.
2. Обратный участок
* При обратном смещении (отрицательное напряжение на аноде и положительное на катоде) через диод практически не течет ток.
* Обратный ток очень мал и называется током утечки (IR).
* При превышении обратного напряжения пробоя (VBR) происходит пробой диода, что также может привести к его повреждению.
Типичные значения амперной характеристики диода:
* Прямое напряжение (VF): 0,2-0,8 В
* Обратный ток утечки (IR): наноамперы или микроамперы
* Обратное напряжение пробоя (VBR): десятки или сотни вольт
Амперная характеристика идеального диода:
Идеальный диод пропускает ток только в одном направлении (прямом) с прямым напряжением VF = 0 В и имеет нулевой ток утечки. На графике это выглядит как прямая линия с уклоном VF = 0 В и горизонтальная линия на обратном участке.
Применение амперной характеристики:
Амперная характеристика используется для:
* Расчета режимов работы диодных схем
* Выбора диодов для конкретных задач
* Определения неисправностей в диодных цепях
