Полевые транзисторы
* MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором)
* Обладают высоким входным сопротивлением и низким уровнем шума
* Используются в усилителях малой мощности, смесителях и генераторах
* JFET (полевой транзистор с управляющим переходом)
* Меньшее входное сопротивление, чем у MOSFET
* Используются в усилителях и переключателях малой мощности
Биполярные транзисторы
* BJT (биполярный транзистор с переходом)
* Высокая мощность и коэффициент усиления
* Используются в усилителях мощности, модуляторах и передатчиках
* HBT (гетеропереходный биполярный транзистор)
* Повышенное быстродействие и более высокие рабочие частоты
* Используются в широкополосных усилителях и микроволновых приложениях
Транзисторы со специальным назначением
* LNA (малошумящий усилитель)
* Специализированы на усилении слабых сигналов с минимальным добавлением шума
* Используются в приемниках и предусилителях
* MMIC (монолитная интегральная микросхема СВЧ)
* Интегрированные транзисторы и пассивные компоненты в одной микросхеме
* Используются для создания компактных и высокопроизводительных микроволновых систем
* RFIC (интегральная схема с высоким частотным диапазоном)
* Интегрированные транзисторы и пассивные компоненты для приложений с радиочастотами
* Используются в сотовых телефонах, Wi-Fi и других беспроводных устройствах
Основные характеристики транзисторов для радиостанций
* Мощность: Выходная мощность, которую способен выдавать транзистор
* Коэффициент усиления: Отношение выходного сигнала к входному сигналу
* Рабочая частота: Диапазон частот, в котором транзистор может эффективно работать
* Уровень шума: Количество шума, добавляемого транзистором к сигналу
* Надежность: Способность транзистора работать в течение длительного периода времени без сбоев
